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Yangjie Electronic Technology
Yangjie Electronic Technology YJS4435B P-POWERFET -30V -10A MOSFET, RDS<0.019R, SO-8 Gehäuse
Produktreferenz : YJS4435B
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| Menge | Stückpreis | Speichern |
|---|---|---|
| 1 – 29 | 0.42 fr | — |
| 30 – 99 | 0.19 fr | -55% |
| 100 – 199 | 0.17 fr | -60% |
| 200 – 499 | 0.15 fr | -64% |
| 500 – 999 | 0.14 fr | -67% |
| 1000 – 3999 | 0.14 fr | -67% |
| 4000+Bestpreis | 0.14 fr | -67% |
Technische Produktbeschreibung (YJS4435B):
Der YJS4435B ist ein Hochleistungs-MOSFET, hergestellt von Yangjie Electronic Technology (YET). P-POWERFET -30V -10A RDS<0.019R SO-8 „Q4435B“. Er eignet sich für Energiemanagement, DC-DC-Wandler und Motorantriebsanwendungen. Gekapselt in einem SO-8-Gehäuse.